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形成薄膜的初期一般認為有三類，即島狀生長，層狀生長及層狀-島狀生長。其形態(tài)及過程受基板表面的性質(zhì)，溫度及蒸鍍速度等因素的影響。其中與基板表面的清潔度關(guān)系很大。玻璃瓶生產(chǎn)廠家由于知道蒸鍍原子或分子與基板原子間作用強弱有關(guān)，若這時玻璃瓶廠把蒸鍍原子之間互相作用力強時形成島狀生長，若時測為層狀生長。
蒸鍍的設(shè)備，除了蒸鍍用真空罐外，還需要真空排氣系統(tǒng)，我們徐州玻璃瓶廠一般的蒸鍍需10-3-10-4pa的真空度，蒸鍍半導體膜時需10-6-10-8pa的超真空度。應(yīng)對應(yīng)選擇適應(yīng)的真空度要求及排氣量的真空泵及附屬設(shè)備，這時玻璃瓶廠若選用擴散泵應(yīng)注意油倒流造成的基板污染。玻璃瓶廠的蒸鍍中對應(yīng)蒸發(fā)物質(zhì)及量的不同，所使用蒸發(fā)源種類形式也不同，所需溫度可以依據(jù)平衡蒸汽壓所對應(yīng)溫度加以選擇，徐州玻璃瓶廠用蒸發(fā)源加熱方式可以采用通電加熱，電子搶沖擊，激光照射等加熱方式。
對基板的加熱可以使表面潔凈化，引起外誕生長及化合物反應(yīng)，因而應(yīng)對基板加熱。徐州玻璃瓶廠通常對基板的加熱采用基板背面設(shè)加熱器或加熱用燈，但基板溫度難以測試，雖設(shè)熱電偶但反應(yīng)出的卻卻未必是基板表面的溫度。
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